3月24日，北京市少年宫，学生科技节优秀获奖作品展上，北京市育英学校的学生在展示校园环境智能导览系统。新京报记者 李木易 摄
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。，这一点在Line官方版本下载中也有详细论述
多家供应链与渠道人士确认，智能手机存储芯片采购成本较去年同期已上涨超过 80%，且涨势仍未见放缓迹象。